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解读二极管浪涌电流测试电路‘靠谱的足球外围平台’
时间:2021-01-01 00:42 点击次数:
本文摘要:本文介绍了二极管反浪涌电流测试的基本拒绝和标准测试方法。标准测试方法针对不存在的严重不足,设计了使用信号控制、容量存储和大功率场效应晶体管电流驱动的电路解决方案。简洁高效地构建了二极管反浪涌电流测试。正弦半波脉冲电流产生二极管的规格各不相同。 罕见的额定通电流从数百毫安到数百安以上,IFSM测试所需的峰值脉冲电流拒绝数十倍以上的额定电流值。标准测试方法是使用图1所示的大容量工频变压器捕获市电交流波形,生成时间常数为10毫秒、传导角度为0 ~ 180的正弦半波脉冲。

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本文介绍了二极管反浪涌电流测试的基本拒绝和标准测试方法。标准测试方法针对不存在的严重不足,设计了使用信号控制、容量存储和大功率场效应晶体管电流驱动的电路解决方案。简洁高效地构建了二极管反浪涌电流测试。正弦半波脉冲电流产生二极管的规格各不相同。

罕见的额定通电流从数百毫安到数百安以上,IFSM测试所需的峰值脉冲电流拒绝数十倍以上的额定电流值。标准测试方法是使用图1所示的大容量工频变压器捕获市电交流波形,生成时间常数为10毫秒、传导角度为0 ~ 180的正弦半波脉冲。图1相反的浪涌电流测试电路用这种方法产生数百安培的正弦脉冲电流,使用的变压器体积都很可观,添加和使用非常不方便。

一些外国公司的产品对浪涌冲击电流波形有特殊要求。例如,以相反的整流电流为基准,具有10毫秒或8.3毫秒的时间常数、传导角度为0 ~ 180的正弦半波脉冲电流、倒数两个小时常数为10毫秒或8.3毫秒、传导角度为0 ~ 180的正弦半波脉冲电流等。重新使用施法捕捉方法似乎已经很难满足其他部件的测试。

拒绝拒绝。(威廉莎士比亚、哈姆雷特、天)设计思想大功率fet晶体管是VDMOS管道线性工作空间中不受栅极电压控制的标准电压控制电流装置。IDS=GFS * VGS [2]。生成闸门所需的电压波形,不要为泄漏极输入适当的电流波形。

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因此,与大功率VDMOS管一起,如图2右图所示,适合用作施工所需的浪涌电流波形。图2VDMOS电流驱动电路运算放大器构成基本偏移运算电路,驱动VDMOS管的网格。泄漏源电流通过VDMOS管道源接近采样电阻,加上运算偏移输出端,乘以输出波形,构成系统。运算输入电压控制VDMOS管道的栅极电压VGS,控制泄漏输入电流IDS [3]。

该IDS是在被测试二极管(DUT)上产生的相反浪涌电流。单个VDMOS管的功率和电流缩放能力有限,不能超过数千安培的输入电流容量。可以通过多种并行方式解决问题,使其超过所需的最大电流。罕见的连接方法如图3的右图所示。

图3VDMOS并行方式该测试方案采用成熟期的电路控制技术,简洁有效地构建了各种浪涌冲击测试的拒绝。都使用日常简单的零部件,重组后的设备体积小,重量轻,容易安装在普通仪器箱中,沦为标准测试仪器。具有灵活性,操作不易的人,测试精度低,安全可靠的功能。


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